SiC衬底由美、德厂商主导，国内厂商加速扩产带动单晶炉需求提升

发布时间：2024-01-25　　来源：立鼎产业研究网　点击量： 317　

SiC衬底市场以美国等传统半导体强国为主，国内厂商纷纷扩产。全球SiC衬底市场高度集中，美国科锐公司、美国Ⅱ-Ⅵ和德国SiCrystal三家全球合计市占率近90%，国内SiC衬底厂商产出规模占全球市场份额不足10%，主要企业包括三安光电、天岳先进等。随国内下游行业快速发展，市场规模持续扩大，国内SiC衬底材料厂商已逐步实现产业化发展，至2027年，国内SiC衬底预计可较现有产能实现数倍的新增产能增长。

2021年全球SiC衬底竞争格局

资料来源：Yole

国内主要SiC材料厂商扩产情况

资料来源：晶升股份发行人及保荐机构第三轮问询回复意见

注：上述主要厂商产能预计在 2027 年前全部达产，建设周期约2-5 年，比亚迪股份有限公司为根据设备需求数量测算产能得出

国内SiC衬底现有产能约25.8~40万片/年，预计2-5年产能增量为469.6~537.1万片/年。以单台设备产量水平（375~500 片/年）测算，国内 SiC 单晶炉市场可新增约 9392~14323台，结合公司产品销售价格，假设 SiC 单晶炉单价为 60 ~110 万元（含税），可测算出国内 SiC 单晶炉至 2027 年市场新增空间约 56.35~157.55 亿元，规模可观。

国内 SiC 衬底扩产对应需要长晶设备市场规模测算

资料来源：晶升股份发行人及保荐机构第三轮问询回复意见

此外，从4英寸到6、8英寸，国内企业与国外研发代差逐步缩短，8英寸SiC衬底蕴含着国内厂商实现弯道超车的机遇。根据科友半导体，国际量产4英寸SiC衬底比国内早10年以上，6英寸比国内早约7年，8英寸可能不超过3年。2022年起，国内企业相继发布8英寸衬底；2023年，三安光电完成8英寸SiC衬底小批量试制，乾晶半导体也成功长出8英寸N型SiC单晶锭。根据集邦咨询援引Wolfspeed数据，从6英寸到8英寸，衬底加工成本增加但合格芯片产量增加80%-90%；同时8英寸衬底厚度增加有助于加工时保持几何形状、减少边缘翘曲度、降低缺陷密度，从而提升良率，因此采用8英寸衬底可将单位综合成本降低50%，6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确：目前8英寸市占率不到2%，预计2026年增至约15%，2023-2024年将是8英寸SiC元年。