东芯股份：中小容量存储芯片平台企业，2021年收入利润规模双增

发布时间：2022-06-28　　来源：立鼎产业研究网　点击量： 557　

——东芯股份是大陆领先的存储芯片设计公司，聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售，是大陆少数可以同时提供 NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司。凭借强大的研发能力和稳定的供应链体系，产品已进入国内外众多知名客户，广泛应用 5G 通信、物联网终端、消费电子、工业和汽车电子产品等领域。自成立以来，公司即致力于实现本土存储芯片的技术突破，通过统一底层设计、功能性可变式的研发架构，构建了强大的设计电路图及封装测试的数据库，实现了芯片设计、制造工艺、封装测试等环节全流程的掌控能力，并拥有完全自主知识产权。公司设计研发并量产的 24nm NAND、48nm NOR 均为大陆目前领先的 NAND、NOR 工艺制程。

公司立足中国、面向全球，深耕全球最大的存储芯片应用市场，精准感知瞬息万变的市场动向，紧跟存储芯片国产化浪潮，凭借从芯片、应用电路到系统平台等全方位的技术储备，迅速响应客户个性化需求，针对性地提供包含 NAND、NOR、DRAM的存储芯片完整解决方案。经过多年的经验积累和技术升级，公司打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品，凭借在工艺制程及性能等方面出色的表现，公司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等多家知名平台厂商获得认证，同时已进入三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。

——东芯股份一直以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，聚焦中小容量 NAND、NOR、DRAM 存储芯片的设计、生产和销售，并拥有独立自主的知识产权，公司目前主要产品为非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash；易失性存储芯片 DRAM 以及衍生产品 MCP。

NAND Flash ：公司聚焦平面型 SLCNAND Flash 的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖 1Gb 至 32Gb，可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，搭配3.3V/1.8V 两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司的 SLCNAND Flash 产品主要用于支持 Linux、RTOS 等应用系统代码的存储和运行，实现数据的存储及快速改写，被广泛应用于如 5G 通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、逻辑电路与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可在-40℃到 105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。公司的 NAND Flash 凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，获得了联发科、瑞芯微、中兴微、博通等行业内主流平台厂商的验证认可，被主要应用于 5G 通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。使用公司产品的终端知名客户包括中兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等。

NOR Flash ：NOR Flash 是一类通用型的非易失性存储芯片，其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb，并支持多种数据传输模式，公司的产品主要被用于存储代码程序，例如在功能手机中用于存放通信数据交换时的启动程序；在智能手机的摄像头模组中用于存放校正图像分辨率的指令代码；在蓝牙无线耳机中存放启动时的引导程序，目前公司已经为三星电子、LG、传音控股、歌尔股份等中外知名终端客户提供产品。

DRAM ：DRAM 是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。公司研发的 DDR3 系列是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。目前使用公司 DRAM 系列产品的国际知名客户包括 LG、瑞萨、索喜、惠尔丰、伟创力等。

MCP ：MCP 是通过将闪存芯片与 DRAM 进行合封的产品，以共同实现存储与数据处理功能，节约空间的同时提高存储密度，目前主要用于空间受限的电子产品，被应用于移动终端、通讯设备领域。公司的 MCP 产品集成了自主研发的闪存芯片与DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科的 4G 模块平台通过认证，被应用于功能手机、MIFI、网络电话、POS 机等产品，获得 TCL 科技、日海智能、捷普等知名企业的认可。

技术服务：公司拥有自主完整的知识产权，凭借积淀多年的存储芯片设计经验和资深的研发团队，可根据客户的特定需求提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高了产品开发效率。在为客户进行定制化的设计过程中，公司不断了解市场对产品功能需求，接收客户对终端产品的反馈，反复验证和打磨已有的技术，建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，进一步增强技术能力。

——2021年公司实现收入规模快速增长。公司主营业务构成分别为 NAND Flash、Nor Flash、DRAM、MCP 及技术服务。公司 2019、2020、2021 年实现营业总收入分别为5.14 亿元、7.84 亿元和 11.34 亿元，分别同比增 0.71%、52.71%和 44.62%。

2021 年归母净利润增速远超收入规模增速。公司 2019、2020、2021 年分别实现归母净利润-0.64 亿元、0.20 亿元和 2.62 亿元，分别同比增-192.80%、130.60%和1240.27%，2021 年净利润增长迅猛。

东芯股份2019-2021公司营收

资料来源：公司资料

东芯股份2019-2021公司归母净利润

资料来源：公司资料

NAND Flash为主要收入来源。2019、2020、2021 年公司 NAND Flash 实现收入分别为1.48亿元、3.98亿元和6.60亿元，在营业总收入中占比分别达到28.91%、50.78%和 58.16%。

司受益于规模效应及产品结构调整，公司 2021 年综合毛利率增长较快。公司2019、2020、2021 年综合毛利率分别为 15.00%、22.01%和 42.12%，2021 年综合毛利率有所增长，主要系销售规模逐步扩大，规模效应显现，同时公司在持续微缩制程及提高良率的同时对现有产品的结构进行持续优化，高附加值和高毛利率产品的销售占比提升，从而毛利率较 2020 年有较大提升。

从细项来看，公司 2019、2020、2021 年 NAND Flash 毛利率分别为 11.90%、23.02%和 51.07%，增长较为迅速；公司 2019、2020、2021 年 Nor Flash 的毛利率分别为 21.25%、24.74%和 30.46%，保持稳健上升态势；2019、2020、2021 年 DRAM 的毛