半导体单晶硅炉行业全球龙头多以自供为主，国内自给率仅约30%

晶体生长设备为半导体产业链上游支撑产业的基础和起点，对后续的切磨抛等工序而言极为重要。二氧化硅经过硅的纯化、多晶硅制造、单晶生长、切片、磨片倒角刻蚀、抛光、清洗、检测、包装环节得到晶圆。其中，单晶硅的纯度对于后续晶圆加工、芯片良率十分关键。目前半导体级单晶硅炉长晶方式（晶体制备方法）主要包括直拉法（CZ 法）和区熔法（FZ 法）两类，直拉法为国内外厂商采用的主流制备方法。

硅片制备流程

资料来源：晶升股份招股说明书

半导体级单晶硅炉长晶方式

资料来源：晶升股份招股说明书

长晶设备的重要性还体现在价值量方面：和8英寸相比，12英寸半导体级单晶硅炉的单炉价格、每万片所需单晶炉的总购置费都将大幅增加。根据立昂微招股说明书及《非公开发行股票申请文件的反馈意见之回复（修订稿）》，其“年产180万片集成电路用12英寸硅片”项目设备总购置费共33.30亿元，其中需48台单晶炉，单炉平均价格约524万元/台，单晶炉总购置费共2.52亿元；“年产120万片集成电路用8英寸硅片”项目设备总购置费共5.09亿元，其中需30台单晶炉，单炉平均价格约296万元/台，单晶炉总购置费共0.89亿元。对应计算得出，月产1万片12、8英寸硅片平均对应单晶炉购置费用分别为1677.87、888.00万元，单晶炉在总体设备购置费占比分别为7.56%和17.43%。

月产1万片12、8英寸半导体用硅片对应单晶硅炉购置费用

资料来源：立昂微招股说明书，立昂微《非公开发行股票申请文件的反馈意见之回复（修订稿）》

全球龙头企业长晶炉多以自供为主。硅片制造行业技术壁垒高、研发周期长、资金投入大且下游验证周期长，市场集中度较高，主要被日本信越化学、日本胜高、中国台湾环球晶圆、德国世创和韩国 SK 五大企业占据，2021 年合计占比约 94%。为保证晶体生长设备适配半导体材料制造工艺技术方案，国际主要半导体材料厂商经过数十年积累的先进工艺和控制策略，使用的晶体生长设备均主要为自行研发生产（如日本信越化学和日本胜高），未对外采购及销售。其他国际主流厂商主要通过自制及向国际晶体生长设备供应商（如PVA TePla AG、S-TECH Co., Ltd.等公司）采购晶体生长设备。

国内半导体硅片产业起步相对较晚，国内硅片厂商发展初期主要引入国外硅片厂商成熟技术路线、技术团队发展硅片业务，使用晶体生长设备以国外供应商为主。国内半导体级硅片厂商主要向S-TECH Co.,Ltd.等国际供应商采购晶体生长设备，国内晶体生长供应商占国内硅片厂商采购份额仅为 30%左右。

2021年全球半导体硅片竞争格局

资料来源：Omdia

国内半导体级硅片制造商及其长晶设备供应商

资料来源：晶升股份招股说明书

国内主要半导体级硅片制造厂商业务、客户及供应商情况

资料来源：晶升股份招股说明书援引各公司公告