JSR株式会社：ArF浸入式光刻胶全球龙头，积极布局EUV光刻胶材料

JSR 株式会社目前分为两个事业部，石油化工事业部和精细化工事业部，其中精细化工事业部包括半导体材料、显示材料和边缘计算材料三个领域，公司半导体材料领域产品包括光刻材料、CMP 材料、封装测试材料等，显示材料包括LCD 平板材料，反射膜材料和其它功能涂覆材料。JSR 株式会社于1957 年（昭和32 年）12 月成立（原公司名称：日本合成橡胶株式会社），为实现合成橡胶国产化而制定的《合成橡胶制造事业特别措施法》施行后，JSR 株式会社以合成橡胶等石化类事业和信息电子材料事业为基础事业，力争进一步扩大，同时还将可望实现较大发展的精密材料与加工、环境与能源、医用材料确定为战略性事业，积极推动事业结构的转变。截至2017 年9 月30 日，公司总共拥有雇员7055人，截至2017年12 月31 日JSR 株式会社注册资本达到233.20亿日元。

2008 至2017 年JSR 营业收入增速及统计

资料来源：公开资料，立鼎产业研究中心

JSR 株式会社营业收入2008 年起受全球金融危机影响，由4069.67 亿日元下降到2010 年的3101.83 亿日元，2011 年起恢复增长，营业收入由2010 年的3101.83 亿日元增长至2017 年的3905.99 亿日元，7 年之间年复合增速仅为3.3%，其中2015 年营业收入达到4040.73 亿日元触及近年营收最高点，2016年回落至3867.09 亿日元，2017 年恢复增长至3905.99 亿日元。目前JSR 分为橡胶弹性体业务板块、塑料业务板块和精细化工及其他产业业务板块，其中橡胶弹性体业务板块2017 年营收占比达到47.5%，塑料业务板块2017 年营收占比达到11.8%，进行化工及其他制品业务板块2017 年营收占比达到40.8%。在细分业务板块中，JSR 公司的ArF 浸入式光刻胶在2013 年就已经达到全球龙头地位，根据JSR 披露，2013 年在ArF 浸入式光刻胶20nm 制程市场份额中占比达到40%以上，目前JSR 已经逐步转向在EUV 光刻胶量产方面的技术投入。

2017 年JSR 各业务板块占比统计

资料来源：公开资料，立鼎产业研究中心

——半导体材料业务板块业务营业收入趋稳

JSR 株式会社半导体材料业务板块主要包括光刻材料、CMP 研磨材料和封装材料，2017 年JSR 的半导体材料业务实现营业收入621 亿日元，同比2016 年下降0.7%。整体精细化工材料业务板块2017 年实现营收1592 亿日元，同比2016年上涨2.6%，在精细化工材料业务板块中还包括液晶显示材料业务板块和生命科学业务板块，从2017 年的经营业绩分析液晶显示材料业务板块实现营业收入568亿日元，同比2016 年下降8.7%，生命科学业务板块实现营业收入402 亿日元，同比2016 年上涨32.2%，由此分析半导体材料业务板块2017 年增速放缓趋于稳定。整体半导体材料业务在2015年达到最高点后2016 和2017 年均出现回落。

JSR 株式会社公告信息显示，2014 年半导体材料业务增长为7.0%主要由于当年半导体市场需求较弱，受益于浸入式ArF 光刻胶的销量增长，整体JSR 半导体材料业务增长，同时当年日元汇率走低，对应销售收入增长产生一定积极贡献；2015 年半导体材料业务板块营业收入同比增幅高达26.9%，主要受益于稳定的半导体行业需求增长，以及JSR 的下游大客户开始全面推进20nm 先进制程的量产工作；2016 年，JSR 株式会社公告半导体材料业务板块营业收入同比2015年平缓略下滑主要的原因是当年整个智能手机的营业收入出现下滑，下游需求下滑；2017 年半导体材料业务出现稳定，整体半导体材料行业销售的市场在扩张，扩张的动力主要是先进制程光刻胶，主要以ArF 浸入式光刻胶为主，同时由于2017 年日元汇率持续走强，整体半导体材料销售收入在下滑。

——提早布局EUV 光刻胶在7nm 制程应用中量产

EUV，全称是Extreme Ultraviolet Lithography，主要是以波长为10-14nm 的极紫外光源实现光刻图案化的材料成为EUV 光阻材料，具体为采用14nm 光源的软X 射线。由于目前JSR 公司已经实现ArF 和KrF 光刻胶的量产并已经进入相关先进制程晶圆产线的范围，因此，对于未来增量市场，JSR 公司主要布局EUV光刻胶材料在10nm 及以下制程的应用，特别是7nm 制程的量产，此部分新增市场成为JSR 关注的重点。

目前由于全球范围内EUV 光刻胶均处于技术储备和升级阶段，因此前言的EUV产品，高端的制程技术成为此领域的核心竞争优势。JSR 产品中展示了当光阻厚度为25nm，L/S 窗口为13nm，线宽粗糙度（line width roughness, LWR）为4.5nm 的EUV 光刻胶产品曝光后效果，采用的光源为NXE3300B。

根据JSR 披露信息，在14nm 和16nm 制程中还有部分剩余的市场份额，JSR目标是确保下一代10nm 及以下制程中EUV 光刻胶的产业化，同时JSR 公司寻求成为对于7nm 以下的EUV 光刻胶第一个实现产业化的供应商。

2017 年3 月份，由JSR株式会社和Imec（Intelligent MachineryExpert Control）微电子研究所共同成立的EUV 光刻胶制备和认证中心（EUV RMQC）在比利时成立，此中心的主要目标是确保EUV 光刻胶的认证和在半导体领域应用的质量

控制。EUV RMQC 由专业化的团队运营，超净室有4 个屋子大小。此公司目前的主要负责人Bart Denturck 博士于1976 年至1984 年期间就读于比利时根特大学（GhentUniversity）获得本科、硕士和博士学位，在加入JSR 株式会社之前曾任职于IWONL、UCB Electronics 和BT 公司，目前兼任JSR Micro NV 公司CEO 和EUV RMQC 公司CEO。

目前全球范围内只有台积电（TSMC）预计在2018 年第二季度实现7nm 工艺制程的量产工作，同时计划2020 年在量产5nm 工艺制程中使用EUV 光刻胶，目前，根据超能网资讯报道台积电公司已经在7nm的研发节点上使用了EUV工艺，实现了TUV 扫描机、光罩及印刷的工艺制程，目前台积电已经从荷兰光刻巨头ASML 公司采购6 台NX：3400 光刻机，预计未来实现EUV 工艺将降低曝光次数，届时在此制程下湿化学品和光刻胶配套试剂的使用量将进一步降低。