半导体光刻胶难度最高，I线需求大，Krf和ArF增速快

光刻胶决定芯片的最小特征尺寸。在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，其中光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小（光的干涉和衍射效应）。决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，占制造成本的30%。比如一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50 道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。

光刻胶分辨率随IC 集成度提高而提高。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而达到集成电路更高密度的集积。目前光刻胶根据使用的不同波长的曝光光源分类， 波长由紫外宽谱向ｇ 线(436nm)→ ｉ线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2（157nm）方向转移。不同波长的光刻胶用途、材料也大不相同。

另外20 世纪80 年代以前，负胶一直在光刻工艺中占据主导地位，随着集成电路与2-5um 图形尺寸范围的出现使得正胶在分辨率优势逐步凸显，目前来看对于小尺寸图像领域正胶占据绝大部分市场份额。

光刻胶在半导体中的的发展趋势

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中低端制程i 线使用量大，Krf 和ArF 增长较快。根据2015 中国集成电路产业发展研讨会，其中i 线光刻胶是目前市场上使用量较大的光刻胶，随着未来功率半导、传感器、LED 市场的持续扩大，i 线光刻胶市场将保持持续增长，另外随着精细化需求的增加，未来一些使用i 线光刻胶的应用将切换成KrF光刻胶，推动KrF 光刻胶市场的增长；而ArF光刻胶对应IC 制程节点最为先进，在7nm制程的EUV 技术成熟之前，ArF 光刻胶仍将是主流，且随着双/多重曝光技术的使用，光刻胶的使用次数增加，ArF 光刻胶的市场将快速成长。

不同波长光刻胶对比

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2015 年半导体光刻胶下游比例构成

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半导体随着晶圆厂扩产2020 年市场规模约为25 亿元。根据上文2015 年国内半导体光刻胶市场规模假设为10 亿元，随着半导体存储、功率等器具的发展以及未来三年本土26 座晶圆厂的落地，将有力带动上游光刻胶需求，我们预计未来2016-2020 年国内半导体光刻胶市场将保持18-20%增速(2011-2015 国内半导体光刻胶GAGR=13.6%)，则2020 年全国半导体光刻胶市场规模将达到24.8 亿元复合增速近20%。

国内半导体光刻胶市场规模及增速预测

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