半导体光刻胶产品类别丰富，研发/生产/客户壁垒极高

发布时间：2022-12-19　　来源：立鼎产业研究网　点击量： 402　

根据曝光后光刻胶薄膜化学性质变化不同所导致的去留情况，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在紫外/极紫外光照射下，曝光区域光刻胶中的高分子链发生降解、官能团脱保护、重排、分子内脱水等化学反应，导致其在显影液中溶解度增加，在基板上获得与掩膜版相同的图案。反之，负性光刻胶的高分子链在曝光区域光刻胶中因发生交联而不溶，未曝光区域在显影液中溶解，从而获得与掩膜版图形相反的图案。在实际生产中，由于负性光刻胶在显影时易发生变形及膨胀，通常情况下分辨率只能达到2微米，因此正性光刻胶的应用更为广泛。

正性/负性光刻胶示意图

资料来源：CNKI

按下游应用领域进行分类和可分为半导体用光刻胶、显示面板用光刻胶和PCB用光刻胶。数据显示，下游三大应用领域分布较为均衡，PCB光刻胶、面板光刻胶、半导体光刻胶各占1/4左右。PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等；平板显示光刻胶则主要是彩色及黑色光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶等；半导体光刻胶根据波长可进一步分为G线光刻胶（436nm）、I线光刻胶（365nm）、KrF光刻胶（248nm）、ArF光刻胶（193nm）、EUV光刻胶（13.5nm）等。

研发/生产/客户壁垒高：原材料稀缺缺+测试设备紧张+客户粘性强。制备光刻胶所必须的单体、树脂及感光剂等原材料进口依赖较强，国内达到同水平供应的厂商较少；生产光刻胶所必须的测试设备光刻胶费用昂贵且购入途径较为紧张；半导体光刻胶产品的验证测试及导入时间较长，一般需要2-3年，且对晶圆质量有较大影响，因此客户选定供应商后不会轻易更换。

按应用领域划分光刻胶市场情况

资料来源：leadingir

光刻胶按下游应用分类

资料来源：晶瑞电材招股说明书

半导体用光刻胶随着曝光波长的缩短，分辨率逐渐提升，适用的IC制程工艺越先进，极紫外EUV。光刻工艺是当前可达的最精密工艺。KrF、G/I线光刻胶均为成熟制程用光刻胶，KrF光刻胶主要用于KrF激光光源光刻工艺，对应工艺制程250-150nm；而G/I线光刻胶主要用于高压汞灯光源的光刻工艺，对应工艺制程为350nm及以上。ArF光刻胶主要用于DUV光刻工艺，可用于130-14nm芯片工艺制程，其中干法主要用于130-65nm工艺，浸没式主要用于65-14nm工艺。