存储产业驱动前驱体市场规模将保持快速增长
前驱体是半导体薄膜沉积工艺的主要原材料。IC 前驱体可以概括为：应用于半导体生 产制造工艺，携有目标元素，呈气态或易挥发液态，具备化学热稳定性，同时具备相应的反应活性或物理性能的一类物质。在包括薄膜、光刻、互连、掺杂技术等的半导体制造过程中，前驱体主要应用于气相沉积（包括 PVD、CVD 及 ALD），以形成符合半导体制造要求 的各类薄膜层。半导体前驱体可分为：TEOS（正硅酸乙酯）、硼磷（B、P）掺杂剂、金属 前驱体、高 k 前驱体、低 k 前驱体等。
半导体用核心前驱体材料
资料来源：公开资料整理，立鼎产业研究中心
随下游逻辑、存储等芯片产业发展，前驱体总体市场规模将保持快速增长。根据日本富士经济数据,全球前驱体销售规模在 2014 年约 855 亿日元左右（约 7.5 亿美元），同比增长 28.81%;预计 2019 年达到 1358 亿日元（约 12.0 亿美元）,CAGR 达到 10%。
全球半导体前驱体销售收入(百万日元)
资料来源：公开资料整理，立鼎产业研究中心
根据 SEMI 旗下的 Chemical and GasesManufacturers Group 推荐的半导体材料市场 调研公司 Techcet 的报告，由于复杂的 3D 结构极大的激发了对高 k 沉积制程的需求，带动 高 k 及金属前驱体市场快速增长，2015 年用于 ALD/CVD的高 k 及金属前驱体市场规模为 1.85 亿美元,2019 年增长为 3.25 亿美元，CAGR 约 15%。
ALD/CVD 的高 k 及金属前驱体迎来快速增长
资料来源：公开资料整理，立鼎产业研究中心
High K/ALD 金属前驱体分布
资料来源：公开资料整理，立鼎产业研究中心
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