2021年SiC器件行业市场发展现状及厂商竞争格局分析

SiC 与 Si 相比，在耐高压、耐高温、高频等方面具备碾压优势，是材料端革命性的突破。在耐高压方面，SiC 击穿场强是 Si 的 10 倍，这意味着同样电压等级的 SiC MOSFET晶圆的外延层厚度只需要 Si 的十分之一，对应的漂移区阻抗大大降低，且 SiC 禁带宽度是 Si 的 3 倍，导电能力更强。在耐高温方面，SiC 热导率及熔点非常高，是 Si 的 2-3 倍。在高频方面，SiC 电子饱和速度是Si 的 2-3 倍，能够实现 10 倍的工作频率。通过采用全 SiC 功率模块制造的逆变器可以使开关损耗降低 75％，逆变器尺寸下降 43%，重量轻 6kg，最终汽车连续续航距离增加 20-30%

根据 Rohm 对 SiC MOSFET 在汽车应用中的进度预测，随着技术成熟，SiCMOSFET 将逐渐替代部分 SiMOSFET。根据 Cree 对 SiC 器件的预测，18 年全球 SiC 的器件销售额 4.2 亿美元，预计在 2024 年达到 50 亿美元。

Rohm 对 SiC MOSFET 在汽车应用中的进度预测

资料来源：Rohm

从竞争格局上看，Cree、Rohm、ST 都已形成了 SiC 衬底-外延-器件-模块垂直供应的体系，而 Infineon、Bosch、On Semi 等厂商则购买 SiC 衬底，随后自行进行外延生长并制作器件及模块。目前SiC 市场的供给牢牢把控在衬底厂商手里，Cree、II-VI 及 Si-Crystal（Rohm 旗下）合计占据了 90%的出货量，而器件及模组的供应商中 Cree、Rohm、Infineon 及 ST 合计占据了超过 70%的市场份额，但总体上由于市场目前还处于初期阶段，渗透率较低，未来几年的竞争格局还有较大不确定性。

全球 SiC 供应链

资料来源：IHS Market

目前我国 SiC 方面也有多个玩家加入，在材料端有多家公司进入赛道，例如天科合达和山东天岳；在外延方面有瀚天天成、东莞天域、三安集成、中电科等。三安是目前第三代半导体布局最全的龙头企业，下游有多家整车厂商及功率器件厂商都加入到该赛道中。

国内 SiC 供应链

资料来源：IHS Market

整体上看 SiC 功率器件市场渗透率较低，增速较快，目前行业内企业还处于跑马圈地阶段，市场竞争格局存在不确定性，国内厂商有望在未来的增量市场中获得一定份额。