17310456736

3D NAND:堆叠层数不断增多,前驱体用量快速增长

发布时间:2020-11-03  来源:立鼎产业研究网  点击量: 1719 

近年来,为了适应小体积、大容量等市场需求,NAND 闪存制造技术向3D技术发展。3D NAND 通过增加立体硅层的方式,既提高单位面积存储密度,又改善存储单元性能。3D NAND 不仅能够增加容量,也可以将成本控制在较低水平。3D NAND 20 纳米级产品的容量密度高,读写速度快,耗电量节省,采用 3D NAND 闪存存储器的固态硬盘其电路板面积也较小。3D 技术不仅使产品性能至少提升 20%,而且功耗可以降低 40%以上。在 3D NAND 中,主要以氧化硅及氮化硅的前驱体使用居多。

长江存储 3D-NAND 的架构


资料来源:长江存储官网

全球晶圆大厂在 3D-NAND方面的技术进步


资料来源:公开资料

为了获得更大的存储容量,3D NAND 的堆叠层数逐渐增加。而堆叠层数的增加意味着前驱体用量的增长。三星在提高 64 层产能和技术的基点上,跳过 72 层,直奔 92/96 层;SK 海力士将跳过 64 层,直达 72 层;东芝/西部数据和美光/英特尔均跳过 72 层,直奔 92/96层。目前,3D NAND Flash 64 层为主流产品技术,预计至 2020 年,3D 存储堆叠可达120 层,到 2021 年可达 140 层以上。

3D NAND Flash 堆叠层数演变


资料来源:《江苏省集成电路产业发展研究报告》


标签:3D NAND

决策支持

17310456736在线客服

扫描二维码,联系我们

微信扫码,联系我们

17310456736