国内功率器件行业整体自给率不足10%，国内厂商迎替代良机

欧美日三足鼎立，中国厂商实力有待提高。全球功率半导体的主要产地集中在欧美日，当地厂商拥有先进的技术和良好的成本管理能力，是 IGBT 和中高压MOSFET 的主要制造商，占据全球功率半导体 70%的市场份额。其次是中国台湾，中国台湾的厂商从代工向设计的方向发展，与欧美日仍然有一定差距，目前占据全球 10%的市场份额。中国大陆以二极管、低压 MOSFET、晶闸管等低端功率半导体为主，目前实力较弱，占据全球 10%的市场份额。

功率半导体尚未形成寡头垄断格局，国产替代机遇明确。虽然功率半导体行业集中度较高，但尚未形成完全垄断竞争格局。全球前五大功率器件厂商份额为 43%，除了英飞凌与安森美外，其余厂商份额差距不大，竞争格局相对分散。对比CPU/GPU/存储器等传统 IC 产品典型寡头垄断格局，功率器件对于国内厂商的壁垒相对不高，国内厂商在二极管上已经颇具竞争力， MOSFET/IGBT 等中高端产品在也初具实力，功率器件国产替代机遇明确。

2017年功率半导体竞争格局，英飞凌占比18.5%

资料来源：Gartner

目前大陆功率器件整体自给率不足 10%，中高端产品自给率有待提高，替代空间巨大。2017年华微电子、扬杰科技、士兰微、苏州固锝等主流大陆功率器件厂商，营收合计占全球功率市场3.25%，占国内市场 8.34%，国内功率器件体量整体偏小，仍有较大成长空间。

大陆主要功率器件厂商营收占全球不足 5%

资料来源：中国半导体协会

大陆主要功率器件厂商营收占国内不足 10%

资料来源：中国半导体协会

功率半导体尚未形成寡头垄断格局，国产替代机遇明确。虽然功率半导体行业集中度较高，但尚未形成完全垄断竞争格局。全球前五大功率器件厂商份额为 43%，除了英飞凌与安森美外，其余厂商份额差距不大，竞争格局相对分散。对比CPU/GPU/存储器等传统 IC 产品典型寡头垄断格局，功率器件对于国内厂商的壁垒相对不高，国内厂商在二极管上已经颇具竞争力， MOSFET/IGBT 等中高端产品在也初具实力，功率器件国产替代机遇明确。

技术进步速度显著放缓，国内厂商有望追赶海外，加速替代进程。功率器件作为使用广泛，技术成熟的基础器件，必须保证长使用寿命、高可靠性与一致性，追求不良率降低而不是先进制程，投资门槛及技术壁垒相对较低。随着 Power MOSFET 等技术变化放缓，中国部分实力强劲的 IDM 厂商，依托自主研发和创新能力，在功率器件相关的技术与产能上目前已经初具竞争力，有望逐步追赶海外，在中低压功率器件率先实现国产替代。

欧美大厂战略转移至高端市场，国内厂商迎替代良机。功率半导体的制造需要使用 8 寸晶圆，海外大厂持续缩减小尺寸晶圆产能，晶圆缺货涨价，国产缺口较大，同时瑞萨、英飞凌、安森美等国际功率器件大厂，将有限产能从 3C 转向工控/汽车电子等高毛利领域，导致 PC/手机/家电等消费类功率产品供给减少。在下游需求端持续旺盛的同时，国外厂商向中高端应用转型，导致中低端功率器件供需缺口巨大，功率器件期货大多延长，推动功率半导体涨价热潮。行业供需持续偏紧的情形下，国内厂商有望填补供给缺口，功率器件迎国产替代黄金时期。

部分功率半导体产品2019Q1 交期及价格趋势

资料来源：ITTbank

MOSFET 和 IGBT 国产替代空间巨大。根据 IHS 的数据，中国 MOSFET 市场规模约 26.40 亿美元，根据中国半导体行业协会的数据，2017 年我国 IGBT 芯片及模块市场规模约为 120 亿人民币，MOSFET 和 IGBT 在 2017 年的国内市场规模则合计约为 290 亿人民币，目前 MOSFET 在中低端领域开始逐步实现国产替代，IGBT和中高端 MOSFET 自给率均不足 10%，假设算上 MOSFET 中低端产品整体自给率为 10%，仍有 90%的进口替代空间，对应市场空间 261 亿元，因此，MOSFET 和IGBT 进口替代空间巨大，数倍于晶闸管和防护器件市场。