NOR Flash 和 SLC NAND同属利基存储，是新进入者切入存储领域的最佳选择

闪存 IC 是最主要的存储 IC，主要为 NOR Flash 和 NAND Flash 两种。半导体存储芯片主要分为非易失性存储 IC 和易失性存储 IC，其最主流的非易失性存储 IC 为闪存 IC，而 Flash 又可以分为 NOR Flash 和 NAND Flash。

存储芯片分类

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NAND Flash 根据存储原理分为 SLC、MLC、TLC 等，从结构上又可分为 2D、3D 两大类。Flash（闪存）技术主要分为 SLC、MLC、TLC 和 QLC 四大类，对应不同的空间结构，这四类技术可又分为 2D 结构和 3D 结构两大类。2D 结构的存储单元仅布置在芯片的 XY 平面中，为了提高存储密度，制造商开发了 3D NAND 或 V-NAND（垂直 NAND）技术，该技术将 Z 平面中的存储单元堆叠在同一晶圆上。 NAND 正与不同的 NAND 技术相结合3D（SLC、QLC），未来更高堆叠层数的 3D NAND 是行业发展的趋势。

3D NAND 闪存对比2D有着寿命优势

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在 SLC 闪存中，每个存储单元仅存储 1bit 信息：逻辑 0 或逻辑 1，而 MLC 闪存每个单元存储两位信息，有2 的 2 次方个电平状态，TLC 和 QLC 分布存储 3、4 位bit信息。每Cell 单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，所以导致颗粒稳定性越差，寿命低。

SLC 技术结构最为简单

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SLC单存储单元存储量最低

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SLC NAND 单位存储容量最低，但性能也最佳。SLCNAND 仅有两种不同的电压状态，因此性能最为稳定，寿命也最长（理论可擦写 10W 次），成本也最高，是最早的顶级颗粒，但因为成本问题，目前已经基本消失在普通消费者视野中。TCL 和 QLC 刚刚问世的时候性能较差，但是经过一段时间的发展，两者各项参数都有了明显的进步，且两者的价格优势非常明显，已经成了 NAND Flash 技术的主流。

不同类型 Flash 的主要参数的比较

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NOR Flash 缺点明显，却具备 NANDFlash 所不具备的优势。与主流的 NAND Flash 相比，NOR Flash 容量密度小、写入速度慢、擦除速度慢、价格高，但是 NOR Flash 由于其地址线和数据线分开的特性，不必再把代码读到系统 RAM 中，应用程序可以直接在NOR 上运行（XIP,eXecute In Place） 且 NOR Flash 还具备更快的读取速度、，更强的可靠性和更长的使用寿命，这些因素的存在也注定了 NOR Flash 难以被市场淘汰。

NAND Flash 、 NOR Flash性能各有优劣

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NOR Flash 和 SLC NAND 同属利基存储，是新入者切入存储领域的最佳选择。存储行业是高垄断行业，国际大厂依靠技术、资金、产能等多方面的优势把控着 DRAM 和 Flash 产品趋势，新入者进军中高端市场资金、技术、人才等因素困难重重。“欲占大路，先取两厢”“大路”，就是以新技术、新工艺所驱动的高端闪存芯片市场，“两厢”就是利润薄、品种多、应用领域分散的市场。NOR Flash 和 SLC NAND 即为“两厢”，市场竞争和技术门槛较低，是新入者切入存储领域的最佳选择。