2019年国内射频前端芯片厂商奋起直追，国产替代势在必行

射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分，追求低功耗、高性能、低成本是其技术升级的主要驱动力。与追求运算性能提升的处理器产品不同，射频前端芯片的发展并不完全依赖制程微缩，而是依靠器件架构设计和材料的创新实现技术的迭代升级，在产品性能、功耗和成本端寻求平衡。

2017 年各类射频前端芯片的市场规模占比

资料来源：立鼎产业研究中心

从各类射频前端芯片的市场规模占比来看，卓胜微主营的射频开关和射频低噪声放大器的市场规模占比相对较小，在该领域内海外厂商与国内厂商的投入规模差距不大，因此，射频开关和射频低噪声放大器市场有望率先取得国产替代的突破。

从技术路线上看，射频开关的技术迭代主要依靠产品设计创新，其中，RF MEMS开关作为一种利用MEMS 技术实现更加多样的射频开关设计的方式，正成为业界布局的重点，RF MEMS 开关能够显著降低插入损耗、提高可靠性、寿命和集成度，实现单刀多掷功能，能满足未来射频系统多模多频通信的需要。

各类射频开关技术的对比

资料来源：立鼎产业研究中心

射频低噪声放大器的发展更多来自工艺与材料上的创新，CMOS 工艺制备的射频低噪声放大器可以与IC 工艺兼容，从而显著降低产品成本，产品竞争力显著，而利用砷化镓、氮化镓等第二、三代半导体材料制备的放大器产品在功率、速度、频率、温度特性等方面具备突出的优势，成为未来低噪声放大器的布局重点。

射频功率放大器在射频前端芯片中的市场规模占比较高，是海外射频厂商的重点布局领域，未来射频功率放大器的发展与射频低噪声放大器类似，主要依赖于材料技术的创新，在3G 时代砷化镓凭借突出的材料电学特性替代硅基工艺成为射频功率放大器制造的主流材料，而第三代半导体材料氮化镓的材料电学特性相比砷化镓又有提升。

各代半导体材料特性对比

资料来源：立鼎产业研究中心

目前氮化镓制备工艺相比硅和砷化镓仍不够成熟，材料研发与制备的瓶颈为国内厂商在射频功率放大器市场的追赶和突破带来了机遇，率先在先进材料领域取得突破的射频功率放大器厂商有望迎来弯道超车机遇。

射频滤波器是射频前端芯片最大的细分市场，是海外巨头布局的重中之重，且射频滤波器从器件设计到压电材料选型等方面均有较大的技术广度，研发难度大。在器件设计方面，未来射频系统的高频滤波器的发展方向是FBAR 滤波器，低频滤波器仍选会用SAW 滤波器，压电材料涉及到氮化铝、铌酸锂、钽酸锂等。FBAR 滤波器，但市场集中度较高，博通一家占据市场87%的份额，突破难度较大，考虑到未来射频通信系统升级的过程中仍需向低频兼容，因而SAW 滤波器的用量仍会增长，国内厂商有望从中低频的SAW 滤波器切入射频滤波器市场，逐步完成国产替代。

根据2015 年5 月国务院发布的《中国制造2025》，“到2020 年，40%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障”，“到2025 年，70%的核心基础零部件、关键基础材料实现自主保障”，提升中国的芯片自给率已成为国家意志。

在这一过程中，射频前端芯片行业因产品广泛应用于移动智能终端，行业战略地位将逐步提升。目前，我国射频前端芯片已经形成了从设计、代工到封测的完整产业链，国内的射频前端芯片的代表厂商卓胜微、紫光展锐、国民飞骧、唯捷创芯、韦尔股份等迎来重大发展机遇，在射频前端芯片市场的占有率有望大幅提升，充分受益国产替代进程。

射频前端芯片的国产替代形势

资料来源：立鼎产业研究中心