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电动车高压化进程中,SiC MOSFET中高功率产品或成OBC未来主要趋势
发布时间:2023-02-07
800V高压平台对功率器件性能提出更高要求。由400V系统升高到800V系统后,对应的功率器件耐压水平则需提高至1200V左右。随着高耐压的IGBT阻抗升高,频率性能下降。在同等频率下,Si-IGBT..
2022年我国超级结MOSFET市场:直流充电桩/5G/新能源车带来发展新机遇
发布时间:2022-09-21
——充电桩日益提升的快充需求下直流充电桩渗透率提升至四成,功率不断提升。充电桩可分为公共直流/公共交流/私人桩,高充电功率的直流桩充电速度最快,而私人桩、公共交流桩充电功率低、充电时间长。随着下游新能..
MOSFET行业发展历程:历经多代技术更迭,高压超级结MOSFET性能突出
发布时间:2022-09-21
MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制..
2021年我国MOSFET行业主要下游需求市场发展及其对本行业影响分析
发布时间:2021-11-18
一、消费电子MOSFET等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件,消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高,而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台..
发布时间:2021-11-18
一、行业技术水平及特点——功率半导体技术发展功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中..
发布时间:2018-01-18
IGBT应用领域极其广泛,小到家电、数码产品,大到轨道交通、航空航天,以及清洁发电、新能源汽车、智能电网等战略性新兴产业都会用到IGBT。按电压分布来看,消费电子领域的所用的IGBT一般在600V..