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SiC衬底由美、德厂商主导,国内厂商加速扩产带动单晶炉需求提升
发布时间:2024-01-25
SiC衬底市场以美国等传统半导体强国为主,国内厂商纷纷扩产。全球SiC衬底市场高度集中,美国科锐公司、美国Ⅱ-Ⅵ和德国SiCrystal三家全球合计市占率近90%,国内SiC衬底厂商产出规模占全球市场..
截止2023年上半年国内厂商SiC器件业务进度、SiC产线建设情况汇总
发布时间:2024-01-24
根据Yole数据,受汽车电动化趋势主导拉动,全球SiC功率器件市场规模将由2021年的11亿美元增长至2027年的63亿美元,21-27年CAGR约34%。全球SiC功率器件市场规模预测(单位:亿美元..
800V快充催生SiC需求高增,海外SiC器件厂商在新能源车领域进展相对较快
发布时间:2023-05-17
——800V快充成为多数车企布局方向。新能源车“里程焦虑”解决方案包括推广换电模式、延长续航里程、发展快充技术等。其中,快充技术可以在不依赖换电站的前提下有效提升补能效率,因此是多数车企布局方向。快充..
车载OBC向大功率、双向化、集成化、SiC化等方向演进,单车价值增量显著
发布时间:2023-02-14
——双向化:双向车载充电机具备向车载动力电池充电和由车载动力电池向外部放电的功能,能够为用户拓展应用场景,进一步提升用户的使用体验。具体来看:1)V2G:向电网方面传输电能,实现动力电池储能系统与电网..
电动车高压化进程中,SiC MOSFET中高功率产品或成OBC未来主要趋势
发布时间:2023-02-07
800V高压平台对功率器件性能提出更高要求。由400V系统升高到800V系统后,对应的功率器件耐压水平则需提高至1200V左右。随着高耐压的IGBT阻抗升高,频率性能下降。在同等频率下,Si-IGBT..
新能源车带动功率半导体市场需求快速扩容,SiC功率器件或迎替代机遇
发布时间:2022-03-10
硅基器件逼近物理极限,化合物半导体前景广阔。目前绝大多数的半导体器件和集成电路都是由硅制作的,出色的性能和成本优势让硅在集成电路等领域占有绝对的优势,无论是在电力电子领域还是通信射频等领域,硅基器件在..
发布时间:2021-04-28
SiC与Si相比,在耐高压、耐高温、高频等方面具备碾压优势,是材料端革命性的突破。在耐高压方面,SiC击穿场强是Si的10倍,这意味着同样电压等级的SiCMOSFET晶圆的外延层厚度只需要Si的十分之..
2019年ASiC芯片市场:海外厂商领先,但人工智能领域国内厂商有望比肩海外
发布时间:2019-12-04
ASiC(专用集成电路)是一种高度定制化并且不可重新配置的产品,通过对于特定应用领域的高度定制化来实现高性能、低功耗的双重目标。ASiC的特点是面向特定用户的需求,品种多、批量小。设计过程中不使用现有..